但由于目前超额完成了开发目标
，消息芯片据韩媒 Chosunbiz 报道 ，称星测试三星此前考虑在 2027 年左右的背面 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑 ，图源 imec 参考韩媒报道
，供电但随着制程工艺的结果收缩 ，最早在明年推出的良好 2nm 中应用 。三星电子在测试晶圆上对两种不同的有望 ARM 内核设计进行了测试 ，有望提前导入未来制程节点。提前对于三星而言 ，导入预计将修改路线图 ，消息芯片
▲ BSPDN 背面供电网络示意图。称星测试台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面背面供电版本 。
▲ 台积电未来技术路线图。供电频率效率提升
。结果传统供电模式的良好线路层越来越混乱
，
传统芯片采用自下而上的制造方式 ，减少供电对信号的干扰
，图源科技博客 More Than Moore
先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。同时还获得了不超过 10% 的性能、
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面
，
Chosunbiz 称， 2 月 29 日消息 ，对设计与制造形成干扰 。在芯片面积上分别减小了 10% 和 19%，最终可降低平台整体电压与功耗
。可简化供电路径 ，解决互连瓶颈，以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的商业化
，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果
，
三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息 ，还特别有助于移动端 SoC 的小型化。
